AOI是自动光学检测（Automated Optical Inspection）：通过受控照明、相机和图像处理，检查产品的可见外观或几何特征，再按设定条件标出异常。在电子装联中，它常用于检查电路板上的缺件、偏移、极性错误，以及能够被光学系统观察到的焊点异常。AOI的输出是特定检查项目的结果，并不等于整块电路板已经通过所有质量与功能测试。 AOI也用于其他制造环节。本文以SMT电路板装联...

碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中，主要承担高压电能转换任务。在主驱逆变器中，它控制动力电池与电机之间的电能流动；在车载充电机（OBC）中，它参与把交流输入转换为适合电池充电的直流电；在高低压DC-DC转换器中，它可用于高压侧开关，把动力电池的能量送往低压用电系统。 SiC服务于车内不同的功率转换环节。图为功能位置示意，不表示每辆车或每个功率级都采用SiC。 它的价值在于为降低转...

半导体材料有两种常见含义：材料物理中的半导体材料，指硅、锗、砷化镓、碳化硅、氮化镓等可用于构成半导体器件的材料；产业链中的半导体材料，范围更广，还包括晶圆制造与封装使用的光刻胶、电子气体、靶材、清洗化学品、抛光材料和封装材料。后者不要求每一种材料本身都具有半导体性质。 硅片提供器件加工的基底，光刻胶把曝光信息变成可加工的图形，电子特气参与成膜、掺杂、刻蚀或设备清洁，靶材则为溅射薄膜提供...

成熟制程和先进制程的区别，主要在于工艺平台能够提供的晶体管密度、功耗与性能，以及它支持哪些器件和电路功能。先进节点持续提高数字电路的集成能力；28nm等已长期应用的平台，则仍能满足许多产品的功能、可靠性和成本要求。节点更新，并不意味着此前的工艺失去用途。 理解28nm为什么仍然重要，需要同时看三个问题：芯片需要完成什么功能，哪些部分能从缩小尺寸中获益，以及整个项目的成本怎样变化。若还不...

PCB制造，是把绝缘材料与铜加工成具有指定线路、孔和层间连接的印制电路板。常规刚性多层板的典型流程为：工程资料处理与开料，内层线路制作及检查，叠层压合，钻孔与孔金属化，外层线路制作，再完成阻焊、字符、表面处理、外形成型和成品检测。每一步都在改变材料或验证结构，不能只把它理解为在一块板上“印出线路”。 以下以常规刚性多层通孔板的减成法制造、外层采用图形电镀为主线，并用四层板说明结构变化。...

IGBT的全称是绝缘栅双极型晶体管，英文为Insulated Gate Bipolar Transistor。它是一种可由栅极信号控制导通和关断的功率半导体器件，常用于变频器、牵引变流器和新能源逆变器，承担电能转换中的功率开关任务。 IGBT把MOS栅的电压控制方式与双极型器件的导电机制结合起来，能在较高耐压下保持较低的导通压降。不过，导通时存储的载流子又会增加关断负担。理解这项取舍，...

先进封装是围绕更高密度互连、更短连接路径和更灵活的裸片集成发展的一组封装技术，包括2.5D互连、3D堆叠等路线。它使封装参与系统的性能与功能组织，让多个功能单元能够在封装内紧密配合；实际收益仍取决于芯片架构和工程实现。 理解这些技术，先分清三个问题：Chiplet讲系统如何拆分，2.5D与3D讲裸片如何布置和互连，CoWoS则是具体厂商的封装平台。裸片、封装基板和外部端子的基本关系，可参...

芯片封装是围绕一片或多片裸片建立机械保护、电连接和散热路径，使其能够与外部电路可靠配合的技术与制造过程。电路在裸片上实现功能，封装则把这些功能引出，并提供适合后续装配和使用的产品形态。 电路板上看到的黑色器件，通常已经包含封装结构；它的外形大小，并不等于内部硅裸片的大小。关于这些名称的基本关系，可先看集成电路、芯片与半导体的区别。理解封装本身，关键是分清裸片怎样接到封装内部，以及封装怎样...

表面贴装技术（Surface Mount Technology，SMT）是把适合表面安装的电子元器件放到印制电路板的表面焊盘上，再形成电气和机械连接的电子装联技术。在常见的锡膏回流工艺中，印刷机负责把焊料放对位置，贴片机负责把元件放对位置，回流焊炉负责形成焊接连接；只完成“贴片”，还没有完成焊接。 理解 SMT 产线，先区分供给焊料、放置元件和形成焊点这三项工作。 SMT、PCB和PC...

PCBA 是 Printed Circuit Board Assembly 的缩写，在电子制造中通常指已经装配电子元件的印制电路板组件，也可以用于描述电路板装配过程。PCB 是印制电路板，主要承担元件支撑和电气互连；PCBA 在电路板上完成元件装联，进一步形成电源、控制、通信等电路功能。 左侧是裸电路板，右侧是在其上完成元件装配的电路板组件。示意图。 日常沟通中的“电路板”可能指裸板，也...

碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）都是宽禁带半导体材料，但它们制成的功率器件，结构、导电方式、驱动和散热要求并不相同。在电能转换中，常见的比较对象是SiC MOSFET与GaN HEMT：前者常进入高压功率系统的候选方案，后者常被用于追求快速开关和紧凑体积的电源。两类应用存在交集，最终要比较同一电路任务下的具体器件。 SiC与GaN方案需要回到相同应用任务比较。概念示意。 理解这类材料的...

第三代半导体通常指以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料及相关技术。它们为功率转换、射频和光电子器件提供了不同于传统硅材料的物性基础。“第三代”描述材料体系的拓展，不表示所有性能都高于第一、二代，也不是芯片制程中的“3纳米”。 材料物性为器件设计提供基础，应用价值还需结合器件与电路判断。概念示意。 如果要先区分材料与器件结构，可以结合功率半导体及二极管、MOSFET...

功率半导体是用于控制和转换电能的半导体器件。电源把交流变成直流、变频器调节电机运行、充电设备向电池输送电能，都需要它们参与。二极管、MOSFET和IGBT是其中常见的器件：二极管主要利用方向性实现整流，MOSFET和IGBT则能接受栅极控制，接通或关断主电流。 功率半导体参与整流、受控开关及电能转换。器件封装为概念示意。 功率半导体在设备中做什么 处理器决定“怎样运行”，功率电路负责把电...

芯片制造，是在晶圆上反复形成材料层、转移图形、加工器件和互连，再通过测试、切割与封装，把电路变成可以连接到外部系统的产品。光刻是其中重要的图形转移环节，但一次曝光不会直接得到一颗完整芯片；器件结构和金属连接需要多种工艺配合完成。 晶圆、裸片与封装器件的工艺概念示意。 下面以常见硅基集成电路为对象，按晶圆准备到封装测试说明主要流程。不同器件和封装方案会调整步骤与顺序，尤其是晶圆级封装...

集成电路，英文为 Integrated Circuit，简称 IC，是把晶体管等电子元件及其连接关系集成在基底上、共同完成一定功能的电路。理解它与芯片、半导体的关系，需要先分清三个角度：半导体首先是一类材料，也常用来指相关器件和产业；集成电路描述电路的集成形式；芯片则是常用实物称呼，可能指裸片，也可能指已经封装的器件。 裸片与封装器件的概念示意；外部形态与内部电路属于不同描述层次。...